晶圓切割機介紹

儀器介紹

一.目的

晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之後再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完後，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由於框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產(chǎn)生碰撞，而有利於搬運過程。此實驗有助於了解切割機的構(gòu)造、用途與正確之使用方式。 

二.原理 

晶片切割機是非常精密之設(shè)備，其主軸轉(zhuǎn)速約在30,000至60,000rpm之間，由於晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鑽石刀刃來進行切割，而且其切割方式係採磨削的方式把晶粒分開。由於係採用磨削的方式進行切割，會產(chǎn)生很多的小粉屑，因此在切割過程中必須不斷地用淨水沖洗，以避免污染到晶粒。除上述諸點外，在整個切割過程中尚須注意之事項頗多，例如晶粒需完全分割但不能割破承載之膠帶，切割時必須沿著晶粒與晶粒間之切割線不能偏離及蛇行，切割過後不能造成晶粒之崩塌或裂痕等等。為解決上述諸多問題，各種自動偵測、自動調(diào)整及自動清洗的設(shè)備都會應(yīng)用到機器上以減少切割時產(chǎn)生錯誤而造成之損失。

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